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 CuI作为一种宽禁带直带隙p型半导体材料，带隙宽度为3.1eV，在可见光范围（400nm-760nm）内具有很高的透过率，具有很高的Chemicalbook载流子浓度和空穴迁移率，而且制备方法简单易行，耗材损耗少，制备效率高，制备过程无毒无污染，因此在半导体光电器件领域具有广泛的应用前景